據最新消息，三星電子已制定明確的技術路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術。相關產品預計將在未來2到3年內問世。在規劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術。經過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術。相較于1e nm，VCT技術在性能和效率方面表現更優。為加快研發進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發。VCT DRAM技術是一種新型存儲
關鍵字：
三星電子 VCT DRAM
Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創新，該公司聲稱該創新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產品的同時追求新興顛覆性內存技術的開發。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內存的東西。在同
關鍵字：
Sandisk 3D-NAND
高性能人工智能（AI）數據中心正在以前所未有的方式重塑半導體設計版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎設施方面的支出規模就已接近150億美元。而今年這一數字可能輕松突破600億美元大關。沒錯，“吸金”，各種資金正從各種投資計劃中向數據中心涌入。顯然，我們正處在一個人工智能資本支出空前高漲的時代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準確估量。但不可否認的是，就在英偉達（Nvidia）、AMD等公司的高性能計算（HPC）處理器成為行業焦點的同時，用于存儲訓練和推理模型的高帶寬內存同樣迎來了屬于
關鍵字：
數據中心 DRAM
4月9日消息，根據Counterpoint Research的2025年第一季度內存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領導者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據剩余的5%。SK海力士預期，營收與市占率的增長至少會持續到下一季度，其還表示，公司在關鍵的HBM市場占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
關鍵字：
SK海力士 三星 DRAM
4月7日消息，據國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
關鍵字：
內存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應國際形勢變化，此舉有助供應鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預估Conventional
DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預計均價為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價格皆持平上季因應國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫存。為確保2025年下半年產線供料穩定，庫存水
關鍵字：
TrendForce 集邦咨詢 DRAM
美光經過多代驗證的 DRAM 技術和制造策略促成了這一優化的 1γ節點的誕生。
關鍵字：
美光1γ DRAM
3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。
關鍵字：
3D DRAM
美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態系統合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代?CPU?設計的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級）DRAM?節點?DDR5?內存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節點的領先優勢，1γ DRAM?節點的這一新里程碑將推動從云端、工業、消費應用到端側?AI?設備（如?AI PC、智能手
關鍵字：
美光 1γ DRAM DRAM
2 月 18 日消息，據 TheElec 報道，三星芯片部門的負責人上周親自前往美國英偉達總部進行訪問。此次訪問的目的是向英偉達展示三星最新研發的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內存（HBM）。消息人士透露，英偉達曾在去年要求三星改進其 1b DRAM 的設計，此次展示的樣品正是基于英偉達的要求而改進后的成果。通常情況下，三星設備解決方案（DS）部門的負責人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用
1b DRAM 生產 HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該
關鍵字：
三星 芯片 1b DRAM 樣品 英偉達
日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產線通線，現正在推動量產產品的上量和更多新產品的導入工作，2.5D/3D等先進封裝將會根據產線運行情況擇機啟動。據了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領域的重點布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領域的重要產業鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產線，對保障高可靠芯片的產業鏈穩定和安全具有重要作用。
關鍵字：
紫光國微 2D/3D 芯片封裝
據媒體報道，近日，研究人員發現了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發現的帶電粒子是創建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
關鍵字：
3D NAND 深孔蝕刻
據韓媒報道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產品認證，連續多個以25塊晶圓為單位的批次在質量和良率上均達到要求，預計SK海力士將在2月初正式啟動1c納米DRAM的量產。據了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實現1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內存開發。SK海力士曾表示，1c工藝技術將應用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進的DRAM主力產品群，進一步鞏固其在內存市場的領先地位。
關鍵字：
SK海力士 1c納米 DRAM
三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內存供應商，而非自家的產品。這一決定標志著三星在旗艦智能手機中首次沒有優先使用自家的內存解決方案，這也讓外界對三星內存技術的競爭力產生了質疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內存供應商，這次卻打敗三星成為了第一供應商，似乎折射出內部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題，三星DS（設備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗）部門交付Galaxy S25系列手機開發所需的LPDDR5X內存樣品，導致MX部門的手
關鍵字：
?三星 Galaxy S25 內存 美光 DRAM LPDDR5X
根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季進入淡季循環，DRAM市場因智能手機等消費性產品需求持續萎縮，加上筆記本電腦等產品因擔心美國可能拉高進口關稅的疑慮，已提前備貨，進而造成DRAM均價下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預估將擴大至8%至13%，若計入HBM產品，價格預計下跌0%至5%。PC DRAM價格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢表示，2024年第四季PC OEM在終端銷售疲弱，DRAM價格反
關鍵字：
DRAM TrendForce 集邦咨詢
3d dram介紹
您好，目前還沒有人創建詞條3d dram!
歡迎您創建該詞條，闡述對3d dram的理解，并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473