3d dram 文章最新資訊

SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁

隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計(jì)出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價(jià)格持續(xù)上漲。據(jù)中國(guó)的華爾街見聞報(bào)道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價(jià)格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新一輪價(jià)格上漲。這種趨勢(shì)與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機(jī)構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級(jí) DDR4 和移動(dòng) LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè)，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

從5月29日美國(guó)政府頒布對(duì)華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止，但對(duì)于EDA公司來(lái)說(shuō)，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來(lái)芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計(jì)工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場(chǎng)全球性的競(jìng)賽，將在未來(lái)十年內(nèi)重新定義幾乎每個(gè)領(lǐng)域。在過(guò)去幾個(gè)月美國(guó)四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢(shì)，這些趨
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升，而 PC 內(nèi)存失去動(dòng)力

根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存，供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國(guó)國(guó)家補(bǔ)貼的減弱效應(yīng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場(chǎng)低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：盡管過(guò)去一周現(xiàn)貨價(jià)格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價(jià)格的快速大幅上漲。整體供應(yīng)仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片的現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
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西門子EDA推新解決方案，助力簡(jiǎn)化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對(duì)芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門
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歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格飆升，據(jù)報(bào)道使 DDR5 翻倍，推動(dòng)南亞科技的庫(kù)存暴利

上周，臺(tái)灣地區(qū)頂級(jí) DRAM 制造商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報(bào)價(jià)，因?yàn)閮r(jià)格飆升。現(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價(jià)格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫(kù)存中獲利，根據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個(gè)趨勢(shì)力旗下的 DRAM 定價(jià)平臺(tái)。隨著三星、美光和中國(guó)芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn)，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應(yīng)商。據(jù)報(bào)告稱，南亞科技第一季度庫(kù)存飆升至創(chuàng)紀(jì)錄的 37.59 億新
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適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成

東京科學(xué)研究所在 IEEE電子元件和技術(shù)會(huì)議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進(jìn)展。“這些新技術(shù)可以幫助滿足高性能計(jì)算應(yīng)用的需求，這些應(yīng)用需要高內(nèi)存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結(jié)合使用晶圓上晶圓（WOW）和晶圓上芯片（COW）技術(shù)，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實(shí)現(xiàn)了 10μm 的
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)展

來(lái)自日本東京科學(xué)研究所（Science Tokyo）的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面（2D）中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對(duì)于高性能計(jì)算，研究人員通過(guò)采用 3D 堆棧計(jì)算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進(jìn)步。為了實(shí)現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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臺(tái)灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格報(bào)價(jià)，庫(kù)存緊張

隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價(jià)格上漲，據(jù)報(bào)道，臺(tái)灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報(bào)價(jià)，這表明供應(yīng)緊張和需求增長(zhǎng)，據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道。行業(yè)消息人士進(jìn)一步解釋說(shuō)，報(bào)價(jià)暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場(chǎng)，而在合同市場(chǎng)，供應(yīng)商正在囤積庫(kù)存并穩(wěn)步推高價(jià)格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應(yīng)商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買家在美國(guó)關(guān)稅變化前加速采購(gòu)，服務(wù)器和 PC 的 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務(wù)器 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)環(huán)比將上漲
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DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺

據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場(chǎng)神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來(lái)報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上，不僅跨過(guò)DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報(bào)價(jià)大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報(bào)價(jià)更高，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒(méi)看過(guò)現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報(bào)價(jià)網(wǎng)站DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價(jià)全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

美國(guó)芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)報(bào)道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計(jì)劃于2027年完成原型開發(fā)并評(píng)估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計(jì)工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組

據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對(duì)系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計(jì)劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計(jì)在由副董事長(zhǎng)鄭鉉鎬和DS部門負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽取董事長(zhǎng)李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動(dòng)業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來(lái)Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤(rùn)空間，
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DDR5上升趨勢(shì)放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM 方面，DDR5 價(jià)格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計(jì) 25 年第三季度整體 DRAM 價(jià)格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價(jià)格在 2 月下旬以來(lái)上漲后已達(dá)到相對(duì)較高的水平，購(gòu)買勢(shì)頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會(huì)出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價(jià)格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)相當(dāng)高，在某些情況下甚至高于合同價(jià)格。因此，上升趨勢(shì)最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器（1T1C）和三個(gè)晶體管、零電容器（3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測(cè)該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測(cè)試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
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三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%

在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據(jù)韓國(guó) Etnews 報(bào)道，三星一年多來(lái)首次提高了 DRAM 價(jià)格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報(bào)告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價(jià)條款，已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí)，該報(bào)告補(bǔ)充說(shuō)，DDR5 價(jià)格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤(rùn)或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖牵珽tnews 表示，由于 DRAM 價(jià)格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預(yù)計(jì)將在一段時(shí)間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
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3D打印高性能射頻傳感器

中國(guó)的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對(duì)共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子）和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對(duì)超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
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